Les successeurs des puces au silicium sont annoncés grâce à l’installation ordonnée de nanotubes au carbone sur un substrat de silicium – une réussite à mettre à l’actif des scientifiques d’IBM.
Dans Nature Nanotechnology, des collaborateurs du centre de recherche T.J. Watson d’IBM situé à Yorktown Heights (N.Y.) ont publié la façon dont ils sont parvenus à placer sur un substrat de silicium plus de dix mille transistors opérationnels constitués de nanotubes en carbone parfaitement rangés et testés. Ce faisant, ils ont combiné des transistors à nanotubes de carbone offrant une vitesse supérieure et une taille inférieure, à des méthodes de production connues du monde du silicium. Cette opération est considérée en général par les scientifiques comme une percée, parce qu’un pas est ainsi accompli en direction des puces offrant les plus grands nombres de transistors à nanotubes (plus d’1 milliard) nécessaires pour les processeurs modernes, etc. Jusqu’à présent, l’on n’était en effet pas parvenu à placer plus de quelques centaines de ces transistors de manière parfaitement agencée. En outre, les transistors ont aussi pu être rapidement testés grâce à la compatibilité avec des processus connus.
Le développement de transistors à nanotubes de carbone est considéré comme l’une des possibilités de contourner les limites proches dans la mise au point de transistors au silicium compacts. D’ici quelques générations de puces, les lois naturelles juguleront en effet la loi de Moore (doublement du nombre de transistors par surface donnée tous les 12 à 18 mois environ) dans le secteur de la technologie au silicium. Les adeptes des transistors aux nanotubes de carbone doivent encore résoudre des problèmes comme la pureté de la production des nanotubes de carbone (dans l’optique de tubes moins conducteurs) et les possibilités de les installer de manière ordonnée (où l’on a donc à présent enregistré une avancée importante).
Deux technologies concurrentes pour la ‘puce du futur’ sont le graphène (aussi à base de carbone) et une autre version du transistor appelée ‘tunneling field effect transistor’.
Source : communiqué
